知识分享
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固态变压器SST有哪些拓扑？单级、两级和三级不只差一个数字
SST单级、两级与三级架构在器件数量、控制解耦、DC端口、故障管理与效率上有不同取舍。本文以文献笔记而非产品宣传的方式整理。
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固态变压器SST到底是什么？它里面其实还有变压器
固态变压器SST不是把磁性变压器完全取消，而是用功率电子变换与中高频隔离把变压、调节、双向能量流和直流接口组合在一起。
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OBC和储能PCS用碳化硅值不值？不要只算器件单价
OBC和储能PCS是否适合碳化硅，应综合器件价格、磁性器件、散热、体积、能耗、EMI和开发风险评估。文章给出项目算账边界。
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SiC MOSFET的VGS振铃从哪来？先把探头接对
SiC MOSFET的VGS尖峰可能来自米勒电流、共源电感、栅极回路寄生，也可能是探头长地线造成的假象。本文按波形复盘顺序排查。
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碳化硅MOSFET替代不能只对耐压和导通电阻
同耐压、同RDS(on)的SiC MOSFET也可能在栅压、栅电荷、短路能力、反向导通、引脚和热路径上存在显著差别。本文按采购替代来信的方式核对。
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SiC MOSFET开关损耗怎么换算？数据手册的Eon、Eoff不能直接照抄
SiC MOSFET数据手册的Eon和Eoff只对指定母线、电流、栅压、栅极电阻、温度和换流回路成立。本文说明换算与实测的边界。
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碳化硅不是开关频率越高越好：先算整机付出的代价
SiC MOSFET能支持更高开关速度，但系统最佳频率还受开关损耗、磁性器件、驱动、EMI和散热限制。本文不做“越高越好”的宣传。
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用DAC做可编程电源设定：校准表不能掩盖环路问题
DAC用于可编程电源设定时，静态校准、单调性、环路建立和上电安全是四个不同问题。本文用应用日志的方式记录从设定码到输出端的核对过程。
