知识分享
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碳化硅MOSFET替代不能只对耐压和导通电阻
同耐压、同RDS(on)的SiC MOSFET也可能在栅压、栅电荷、短路能力、反向导通、引脚和热路径上存在显著差别。本文按采购替代来信的方式核对。
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SiC MOSFET开关损耗怎么换算？数据手册的Eon、Eoff不能直接照抄
SiC MOSFET数据手册的Eon和Eoff只对指定母线、电流、栅压、栅极电阻、温度和换流回路成立。本文说明换算与实测的边界。
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碳化硅不是开关频率越高越好：先算整机付出的代价
SiC MOSFET能支持更高开关速度，但系统最佳频率还受开关损耗、磁性器件、驱动、EMI和散热限制。本文不做“越高越好”的宣传。
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用DAC做可编程电源设定：校准表不能掩盖环路问题
DAC用于可编程电源设定时，静态校准、单调性、环路建立和上电安全是四个不同问题。本文用应用日志的方式记录从设定码到输出端的核对过程。
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DAC毛刺脉冲怎么测？先找到中量程跳变
DAC毛刺不是随便截一个峰值就测完。本文从中量程跳变、触发、探头负载、脉冲面积与滤波代价说起。
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电压输出DAC和电流输出DAC怎么选？先看后级电路
电压输出DAC与电流输出DAC的区别不只在引脚。本文从输出缓冲、跨阻运放、建立速度、量程与负载开始回答采购常见问题。
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DAC输出接上电缆就振荡？问题可能在负载，不在数字代码
DAC空载正常，接上电缆、模块或大电容后却过冲振荡，常与输出缓冲器的容性负载稳定性有关。本文给出一次只改一个参数的排查法。
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16位DAC不等于16位绝对精度：这个误会该停了
16位DAC的1 LSB很小，但整机输出精度还受INL、DNL、零码、增益误差、基准源与温漂影响。文章给出更可用的精度预算方法。
