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E1B & E2B封装工业级碳化硅MOSFET模块

E1B & E2B封装工业级碳化硅MOSFET模块

产品详情

基本半导体推出工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E2B、Pcore™2 E1B、Pcore™4 E1B等，该系列产品基于高性能 6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。

工业模块产品图.jpg

产品优势

- 高晶圆可靠性

新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)退化。

- 优异抗噪特性

宽栅-源电压范围（VGS: -10V~+25V），及更高阈值电压（VGS(th).typ: 4V），便于栅极驱动设计。

-高热性能及高封装可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入，改善温度循环的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。


应用领域：燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。


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